抗锗化异质结构上生长的薄层铝层用于探索约西nson 电导管效应

W. Pan; K. R. Sapkota; P. Lu; A. J. Muhowski; W. M. Martinez; C. L. H. Sovinec; R. Reyna; J. P. Mendez; D. Mamaluy; S. D. Hawkins; J. F. Klem; L. S. L. Smith; D. A. Temple; Z. Enderson; Z. Jiang; E. Rossi

doi:10.1016/j.mseb.2025.118285

抗锗化异质结构上生长的薄层铝层用于探索约西nson 电导管效应

材料科学 2025-04-21 v2 介观与纳米尺度物理超导电性

作者: W. Pan , K. R. Sapkota , P. Lu , A. J. Muhowski , W. M. Martinez , C. L. H. Sovinec , R. Reyna , J. P. Mendez , D. Mamaluy , S. D. Hawkins , J. F. Klem , L. S. L. Smith , D. A. Temple , Z. Enderson , Z. Jiang , E. Rossi

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摘要

本文呈现我们最近工作中生长的抗锗化异质结构上的镁 (epi-Al) 薄膜的结果，其中 epi-Al 薄膜是在室温或低于 0 摄氏度下生长的。在这些 epi-Al 薄膜中观察到约 $T \sim 1.3$ K 的锐利超导临界。我们进一步表明，在 epi-Al/抗锗化异质结构中制造的约西nson 电导管，其迁移率 $\mu \sim 1.0 \times 10^6$ cm $^2$ /Vs。这些结果清楚地表明我们已实现了高质量的 epi-Al/抗锗化异质结构，这是探索约西nson 电导管效应以实现量子信息科学和微电子器件应用的有前景的平台。

关键词

生长铝层反锗化异质结构约西nson 电导管超导临界量子信息

引用

@article{arxiv.2410.06085,
  title  = {Epitaxial aluminum layer on antimonide heterostructures for exploring Josephson junction effects},
  author = {W. Pan and K. R. Sapkota and P. Lu and A. J. Muhowski and W. M. Martinez and C. L. H. Sovinec and R. Reyna and J. P. Mendez and D. Mamaluy and S. D. Hawkins and J. F. Klem and L. S. L. Smith and D. A. Temple and Z. Enderson and Z. Jiang and E. Rossi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2410.06085},
  year   = {2025}
}

抗锗化异质结构上生长的薄层铝层用于探索约西nson 电导管效应

摘要

关键词

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