利用二甲基乙基胺铝烷前驱体通过原子层沉积制备铝(111)薄膜
超导电性
2021-06-08 v3
摘要
我们报道了以二甲基乙基胺铝烷(DMEAA)为前驱体、通过原子层沉积(ALD)技术生长铝(111)薄膜的方法。研究发现,金属底层对于利用DMEAA前驱体生长均匀的铝薄膜至关重要。当以钛薄膜作为底层时,所生长的铝薄膜无论衬底如何均呈现(111)取向。铝薄膜的晶格常数与超导转变温度均与块体材料相同。这些结果表明,ALD技术可提供高质量的铝薄膜,并在超导器件应用中具有潜力。我们讨论采用DMEAA前驱体的ALD技术是用于制备垂直小型约瑟夫森隧道结的一种有前景的方法,该隧道结可用作超导量子比特。
引用
@article{arxiv.2101.04366,
title = {Atomic Layer Deposition of Aluminum (111) Thin Film by Dimethylethylaminealane Precursor},
author = {Sameh Okasha and Yoshiaki Sekine and Satoshi Sasaki and Yuichi Harada},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.04366},
year = {2021}
}
备注
13 pages, 3 figures, Accepted manuscript