半导体-超导体界面Andreev散射的角度依赖性
超导电性
2007-05-23 v3
摘要
我们研究了半导体-超导体界面处Andreev散射的角度依赖性，推广了Blonder、Tinkham和Klapwijk的一维理论。平行于界面的动量增加导致Andreev反射概率的抑制和正常反射概率的增加。我们表明，在半导体和超导体之间存在费米速度失配的情况下，入射角和透射角根据光学中众所周知的斯涅尔定律相关联。因此，存在一个临界入射角，超过该角度只存在正常反射。对于二维和三维界面，发现与垂直入射的弹道输运相比，过剩电流更低。因此，一维BTK模型高估了二维和三维界面的势垒强度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9807049,
title = {Angle dependence of Andreev scattering at semiconductor-superconductor interfaces},
author = {Niels Asger Mortensen and Karsten Flensberg and Antti-Pekka Jauho},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9807049},
year = {2007}
}
备注
8 pages including 3 figures (revised, 6 references added)