半导体空穴的能带混合介导安德烈夫反射
超导电性
2011-10-05 v2
摘要
我们研究了 p 型半导体与常规超导体之间清洁界面处发生的安德烈夫反射过程。计算在广义 Bogoliubov-de Gennes 框架内进行，其中半导体能带结构的细节由 6×6 Kane 模型描述。研究发现，轻空穴和重空穴价带载流子的安德烈夫反射通常是可能的，且两种价带空穴类型可在该过程中相互转换。正常反射和安德烈夫反射振幅强烈依赖于半导体的载流子浓度和注入角度。在垂直入射的特殊情况下，重空穴的安德烈夫反射不会发生。此外，我们发现无转换的安德烈夫反射在超过某个临界角后不可能发生，且存在另一个临界角，超过该角度后重空穴向轻空穴的转换不能发生。
引用
@article{arxiv.1107.2039,
title = {Band-mixing-mediated Andreev reflection of semiconductor holes},
author = {David Futterer and Michele Governale and Ulrich Zuelicke and Jürgen König},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.2039},
year = {2011}
}
备注
8 pages, 5 figures