量子点接触-半导体-超导体器件中的电导增强

我们计算了相位相干二维电子气与超导体之间界面（正常区域中存在量子点接触）的电导。利用散射矩阵方法，我们重新考察了 De Raedt、Michielsen 和 Klapwijk [Phys. Rev. B, 50, 631 (1994)] 曾在含时 Bogoliubov-de Gennes 形式下研究的几何结构。我们发现，对于具有仅含少数传播模式的量子点接触的界面，相比于理想界面的正常态电导 $G_N$，电导 $G_{NS}$ 两倍的增强效应可能会被抑制。研究发现该抑制强烈依赖于费米能级的位置。我们还研究了界面势垒导致的抑制，并发现了由准粒子干涉引起的反常行为。最后，我们考虑了顺序隧穿极限，发现两倍增强效应受到抑制，这或许可以解释金属-超导体结构实验中未观察到电导增强的原因。