薄膜闸控势垒晶体管：一种栅极可调的垂直石墨烯 - 并五苯器件
介观与纳米尺度物理
2013-07-23 v1
摘要
我们制造了一种垂直薄膜闸控势垒晶体管（barristor）器件，其结构包括高掺杂硅（栅极）、300 nm SiO2（栅介质）、单层石墨烯、并五苯（pentacene）以及金顶电极。我们展示了流经器件的电流受石墨烯费米能级的调制，该能级可通过外部栅电压进行调节。我们在热电子发射理论框架下解释器件电流，表明石墨烯与并五苯之间的能量势垒调制幅度高达 300 meV。
引用
@article{arxiv.1302.2711,
title = {Thin film barristor: a gate tunable vertical graphene-pentacene device},
author = {C. Ojeda-Aristizabal and W. Bao and M. S. Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.2711},
year = {2013}
}