基于低势垒铁磁体/绝缘体/n-Si 隧穿接触的优化自旋注入效率与自旋 MOSFET 工作
介观与纳米尺度物理
2017-05-24 v3
摘要
我们通过晶格 NEGF 方法理论研究了不同 FM/I/n-Si 隧穿接触中的自旋注入。我们发现，采用 TiO 和 TaO 等低势垒材料的隧穿接触比传统势垒材料具有低得多的电阻，从而产生了更宽且可实现的最优参数窗口，用于提高垂直自旋 MOSFET 的自旋注入效率和 MR 比。此外，我们发现 TiO 隧穿接触的自旋不对称系数为负值，而 TaO 接触的自旋不对称系数可通过改变参数在正值与负值之间调节。
引用
@article{arxiv.1703.06835,
title = {Optimized spin-injection efficiency and spin MOSFET operation based on low-barrier ferromagnet/insulator/n-Si tunnel contact},
author = {Yang Yang and Zhenhua Wu and Wen Yang and Jun Li and Songyan Chen and Cheng Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.06835},
year = {2017}
}