层状蜂窝化合物中的坏拓扑半金属

本文探讨了具有显著自旋轨道耦合的蜂窝化合物中的莫特转变。在有限温度下，我们识别出位于拓扑绝缘体与拓扑莫特绝缘体之间的一种新颖半金属相。该半金属的特征是无电荷能隙、无准粒子，且自旋激发具有能隙并带有非平庸拓扑性质。虽然电荷传导是非相干的，其平均自由程违背了 Mott-Ioffe-Regel 极限，但自旋激发可沿边缘弹道传输，从而产生量子化的自旋电导。此类坏拓扑半金属可在某些过渡金属二硫属化物扭转双层中靠近莫特转变处寻找。