量子自旋液体与掺杂半导体中的金属-绝缘体相变
强关联电子
2012-10-15 v2
摘要
我们描述了掺杂半导体（如 Si:P 或 Si:B）中发生金属-绝缘体相变的一种新的可能途径。我们探讨了金属输运的丧失是通过电子的 Mott 局域化进入具有扩散电荷中性“自旋子”激发的量子自旋液体态而发生的可能性。这种量子自旋液体态可以作为金属与 Anderson-Mott 绝缘体之间的中间相出现。一个直接的、可检验的推论是，在靠近金属-绝缘体相变的电绝缘体中，低温下存在金属热导率。我们进一步表明，尽管该相变是二阶的，但从金属侧逼近相变时，零温剩余电导率将发生跃变。然而，电导率将具有非单调的温度依赖性，这可能会使向零温的外推变得复杂。我们还讨论了其他实验中的特征，并与现有数据进行了比较。
引用
@article{arxiv.1204.1342,
title = {Quantum spin liquids and the metal-insulator transition in doped semiconductors},
author = {Andrew C. Potter and Maissam Barkeshli and John McGreevy and T. Senthil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.1342},
year = {2012}
}
备注
4 pages text + 3 pages Appendices, 3 Figures; v2 - References Added