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空穴掺杂莫特绝缘体中的赝能隙、范霍夫奇点、熵与比热极大值

强关联电子 2019-09-24 v2

摘要

铜基超导体中赝能隙的首个迹象来自核磁共振奈特位移在掺杂依赖温度 T(δ)T^*(\delta) 处的突然下降。此后,实验在更低的 Tphase(δ)T^*_\text{phase}(\delta) 处发现了相变。利用高温下方格 Hubbard 模型的斑块元胞动力学平均场(结果可靠),我们表明 T(δ)T^*(\delta)Tphase(δ)T^*_\text{phase}(\delta) 具有许多共同特征。与若干实验(包括电子比热的量子临界行为)的显著一致支持如下观点:赝能隙由莫特跃迁的有限掺杂延伸所控制。我们提出了进一步的实验检验。

关键词

引用

@article{arxiv.1905.02326,
  title  = {Pseudogap, van Hove Singularity, Maximum in Entropy and Specific Heat for Hole-Doped Mott Insulators},
  author = {A. Reymbaut and S. Bergeron and R. Garioud and M. Thénault and M. Charlebois and P. Sémon and A. -M. S. Tremblay},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1905.02326},
  year   = {2019}
}

备注

LaTeX, 2 figures, 6 pages