单电子掺杂 Mott 绝缘体中的局域带隙态
强关联电子
2014-12-10 v1
摘要
受近期原子尺度扫描隧道显微镜 (STM) 对电子掺杂 Mott 绝缘体中空间局域带隙态观测的启发，我们利用团簇微扰理论评估了正方晶格 Hubbard 模型的局域电子态。研究发现，在掺杂剂晶格位点附近、上 Hubbard 带下方存在一个带隙态，这与 STM 测量结果一致。该局域带隙态的出现伴随着电子双占据数的迅速减少。在三角晶格上也发现了类似的带隙态。这些结果表明，带隙态是 Mott 绝缘体的固有特征，与晶格结构无关。
引用
@article{arxiv.1402.5787,
title = {Localized in-gap state in a single electron doped Mott insulator},
author = {Weng-Hang Leong and Shun-Li Yu and T. Xiang and Jian-Xin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5787},
year = {2014}
}