铜氧化物超导体中氧掺杂剂附近增强的配对关联
超导电性
2015-05-19 v2 强关联电子
摘要
最近对基于Bi的铜氧化物超导体的实验揭示了在间隙氧掺杂离子附近配对关联的意外增强。在此，我们提出了一种可能的机制——基于局域屏蔽效应——通过该机制，氧掺杂剂确实改变了CuO_2面内的电子参数，并强烈增加了超交换耦合J。这局域地增强了自旋配对效应，并可能解释观测到的态密度和配对能隙的空间变化。
引用
@article{arxiv.1008.0435,
title = {Enhanced Pairing Correlations near Oxygen Dopants in Cuprate Superconductors},
author = {Giniyat Khaliullin and Michiyasu Mori and Takami Tohyama and Sadamichi Maekawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0435},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, minor revisions, to appear in PRL