氧掺杂剂对Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$中配对相互作用的调制：密度泛函理论研究
超导电性
2010-09-06 v2
摘要
对高温超导体BiSrCaCuO的扫描隧道谱测量报告了在氧掺杂原子附近增强的谱隙。我们在密度泛函理论(DFT)框架内计算了由这种掺杂剂引起的电子结构变化。然后，我们构建并讨论了在有和没有氧掺杂剂的情况下对DFT能带进行若干紧束缚(TB)拟合的有效性。利用掺杂调制的TB参数，我们最终在自旋涨落理论框架内评估了自旋磁化率和配对相互作用。d波配对本征值高于无氧掺杂剂的纯净系统，这支持了此类缺陷周围局域配对增强的图景。
引用
@article{arxiv.1006.2014,
title = {Modulation of pairing interaction in Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+\delta}$ by an O dopant: a density functional theory study},
author = {Kateryna Foyevtsova and H. C. Kandpal and Harald O. Jeschke and S. Graser and H. -P. Cheng and Roser Valentí and P. J. Hirschfeld},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.2014},
year = {2010}
}