Bi$_{2}$Sr$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{8+x}$ 中超导能隙的原子操纵
超导电性
2020-01-08 v1 材料科学
强关联电子
摘要
在掺杂关联电子体系内部进行单原子操纵,将极有益于厘清掺杂剂、结构缺陷与晶体学特征对其局域电子态的影响。遗憾的是,其高扩散势垒阻碍了常规的操纵技术。在此,我们展示了利用针尖局域电场在最优掺杂高温超导体 BiSrCaCuO 中可逆操纵选定位点的可能性。我们表明,当表面单个 Bi 原子发生位移时,与超导相关的谱学能隙可逆地变化多达 15 meV(约占总能隙大小的 5%)。我们捕捉到所有观测特征的玩具模型表明,该电场诱导了点状物体的横向运动,这些物体在 CuO2 面内产生局域配对势。
引用
@article{arxiv.2001.01733,
title = {Atomic manipulation of the gap in Bi$_{2}$Sr$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{8+x}$},
author = {F. Massee and Y. K. Huang and M. Aprili},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.01733},
year = {2020}
}
备注
Published in Science, this is the originally submitted manuscript prior to changes during the review process