铜酸盐超导体中的相分离与价态不稳定性：有效单带模型方法

我们利用从扩展三带Hubbard模型通过适当的低能约化得到的有效扩展单带Hubbard模型（$H_{eff}$），研究了由Cu-O最近邻排斥$U_{pd}$驱动的Cu-O价态不稳定性（VI）和相关的相分离（PS）。$H_{eff}$通过对包含10个晶胞的方形团簇进行精确对角化以及slave-boson平均场理论求解。其参数在$U_{pd}\neq 0$或O位点排斥$U_p\neq 0$时依赖于掺杂。两种技术的结果一致表明，对于掺杂水平$x<0.5$，如果$U_{pd}\lesssim 2$ eV，则既不存在VI也不存在PS。PS区域在$U_{pd}\gtrsim 2$ eV时开始出现于高掺杂$x>0.6$，并随着$U_{pd}$的增加而增大。PS也随着Cu位点排斥$U_d$的增加而增大。