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电子掺杂铜基超导体中电子的各向异性修饰

超导电性 2021-01-12 v2

摘要

最近的实验揭示了一个显著的可能性,即电子掺杂与空穴掺杂铜基超导体的相图之间不存在差异,而这一方面也应反映在电子的修饰中。本文基于动力学能驱动超导性,研究了电子掺杂铜基超导体的相图以及电子各向异性修饰的相关奇异特征。结果表明,尽管电子掺杂侧的优化 Tc 远小于空穴掺杂情形,但电子与空穴掺杂铜基超导体在超导穹顶的掺杂范围内颇为相似,表明电子与空穴掺杂铜基超导体的相图之间不存在差异。特别地,由于电子与强色散自旋激发的强耦合导致的电子各向异性修饰,使得电子费米面被截断,形成以节点区为中心的不连通费米弧。同时,准粒子激发谱中峰-谷-峰结构的谷直接对应于准粒子散射率中的相应峰,而色散扭折总伴随总自能中的相应拐点,正如空穴掺杂对应体中的峰-谷-峰结构中的谷和色散扭折。该理论还预测正常和异常自能均呈现明显的低能峰结构。

关键词

引用

@article{arxiv.2010.06781,
  title  = {Anisotropic dressing of electrons in electron-doped cuprate superconductors},
  author = {Shuning Tan and Yiqun Liu and Yingping Mou and Shiping Feng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2010.06781},
  year   = {2021}
}

备注

13 pages, 9 figures,added figure, references, and discussions; accepted for publication in Physical Review B