掺杂电荷转移Mott绝缘体中的角分辨光电子谱
超导电性
2009-10-31 v1
摘要
我们发展了一个关于掺杂铜氧化物和其他电荷转移Mott绝缘体中角分辨光电子谱(ARPES)的理论，该理论考虑了现实的(LDA+U)能带结构、由于强电子-声子相互作用导致的(双)极化子形成以及随机场势。在这些材料中的大多数，第一个被掺杂的能带是Mott-Hubbard能隙内的氧带。我们推导了ARPES谱的相干部分，其中氧空穴谱函数在非交叉(阶梯)近似下计算，并使用一维空穴在随机势中的精确谱函数。描述了ARPES的一些不寻常特征，包括YBa2Cu3O7和YBa2Cu4O8中的偏振依赖性和谱形，而无需任何费米面，无论大小。该理论与铜氧化物的动力学和热力学性质对掺杂的依赖性以及超导序参量的d波对称性相容。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9905185,
title = {Angle-resolved photoemission in doped charge-transfer Mott insulators},
author = {A. S. Alexandrov and C. J. Dent},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9905185},
year = {2009}
}
备注
8 pages (RevTeX), 10 figures, submitted to Phys. Rev. B