电解质门控过程中外延氧化钨薄膜的绝缘体-金属相变演化
材料科学
2016-08-12 v1
摘要
氧化物与电解质之间的界面会引发多种过程，例如静电电荷积累/耗尽以及电场下的嵌入/脱嵌等电化学反应。本文采用 A 位空缺钙钛矿 WO 外延薄膜作为沟道材料，并以两种不同电解质作为门控剂，直接比较了那些在双电层晶体管结构中的典型器件操作。门控过程中进行的 x 射线衍射与原位沟道电阻测量表明，在两种情况下 WO 薄膜均通过多重相变达到新的金属态，同时伴随面外晶格常数的变化。使用离子液体时，电子从界面侧静电积累；而使用聚合物电解质时，碱金属离子更均匀地嵌入薄膜。我们通过比较掺杂载流子密度、晶格变形行为以及相变时间常数，系统地展示了静电与电化学过程之间的这一差异。
引用
@article{arxiv.1608.03357,
title = {Evolution of Insulator-Metal Phase Transitions in Epitaxial Tungsten Oxide Films during Electrolyte-Gating},
author = {Shinichi Nishihaya and Masaki Uchida and Yusuke Kozuka and Yoshihiro Iwasa and Masashi Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.03357},
year = {2016}
}
备注
25 pages, 6 figures, ACS Applied Matter. in press