马氏层状几何控制 Mott 绝缘体中的电子相变
材料科学
2026-02-23 v1
摘要
对称性降低的结构相变导致出现多个退化结构，其共存由宏观应变相容性决定。在量子材料中，这些结构转换常与电子自由度耦合，但结构安排如何影响电子相变仍不完全清楚。通过分析 X 射线逆射区图中数百个衍射峰，我们确定了 V2O3 薄膜在对称性降低变换（ coincide 金属-绝缘相变）后所有共存相的晶格基矢及其相互取向。我们利用马氏相变理论识别了所有共存结构界面之间的取向，并发现低温结构由交替双胞胎变体构成的细致调谐层状混合物组成，类似金属合金。通过比较生长于不同衬底取向的薄膜，我们表明金属-绝缘相变温度随着这些层状混合物满足衬底施加的宏观应变相容性程度的单调增加而上升。
引用
@article{arxiv.2602.18268,
title = {Martensitic laminate geometry controls electronic phase transitions in a Mott insulator},
author = {Ziming Shao and Benjamin Gregory and Suchismita Sarker and Jacob Ruff and Ivan K. Schuller and Yoav Kalcheim and Andrej Singer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.18268},
year = {2026}
}