顺磁性三维系统 GaTa4Se8 中的一级绝缘体 - 金属莫特相变
强关联电子
2015-06-22 v1
摘要
在没有任何对称性破缺的情况下，莫特相变的本质仍然是一个争论的话题。我们研究了典型三维莫特系统 GaTa4Se8 中由关联驱动的绝缘体 - 金属相变，作为温度和施加压力的函数。我们报告了关于单晶的新颖实验，证明该相变是一级的，并且源于两种状态（一种绝缘态和一种金属态）的共存，我们可以通过微小的偏置电流在这两种状态之间切换。我们通过将实验数据与结合局域密度近似和动力学平均场理论的计算进行对比，为我们的发现提供了支持，两者吻合非常好。
引用
@article{arxiv.1409.4483,
title = {First-Order Insulator-to-Metal Mott Transition in the Paramagnetic 3D System GaTa4Se8},
author = {A. Camjayi and C. Acha and R. Weht and M. G. Rodríguez and B. Corraze and E. Janod and L. Cario and M. J. Rozenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.4483},
year = {2015}
}
备注
5 pages and 4 figures. Supplemental material: 2 pages, 2 figures