利用扫描微波阻抗显微镜直接观测 V2O3 中渗流型金属-绝缘体转变
强关联电子
2022-08-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
以被广泛研究的 V2O3 为原型系统，我们探究渗流在金属-绝缘体转变（MIT）中的作用。我们应用扫描微波阻抗显微镜直接确定金属相分数 p，并将其与宏观电导 G 关联，G 在 p 达到渗流阈值时呈现突跃。有趣的是，电导 G 相对于 p 表现出滞回行为，表明冷却和升温过程中存在两种不同的渗流过程。基于我们的图像分析和模型模拟，我们将此种滞回行为归因于冷却与升温间不同的畴成核和生长过程，这可能由 V2O3 在 MIT 期间退耦合的结构与电子转变所引起。我们的工作提供了强关联系统中结构与电子自由度相互作用如何影响 MIT 的微观视角。
引用
@article{arxiv.2203.16858,
title = {Direct visualization of percolating metal-insulator transition in V2O3 using scanning microwave impedance microscopy},
author = {Weiyan Lin and Huanyu Zhang and Yoav Kalcheim and Xinchen Zhou and Fubao Yang and Yang Shi and Yang Feng and Yihua Wang and Jiping Huang and Ivan K. Schuller and Xiaodong Zhou and Jian Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.16858},
year = {2022}
}