Rb 和 Cs 掺杂对 MgB2 薄膜超导性能的影响
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
我们的卢瑟福背散射谱（RBS）研究发现，通过在含有元素碱金属的石英安瓿中于<350 摄氏度下退火，可将浓度高达 7 原子百分比的 Rb 和 Cs 引入深度约 700 Å 的 MgB2 薄膜中。未观察到转变温度（Tc）的显著变化，这与早期关于类似 MgB2 粉末实验报道的极高 Tc（>50 K）形成对比。Tc 和晶内载流子散射缺乏显著变化表明，Rb 和 Cs 扩散进入了薄膜，但未进入晶粒内部。相反，观测到的电学性质变化，包括 Jc 的显著下降和 delta rho (rho300-rho40) 的增加，源于重碱金属及其他杂质（即 C 和 O）在退火过程中偏析至晶界区域，导致晶间连通性降低。
引用
@article{arxiv.0709.4001,
title = {Effect of Rb and Cs-doping on superconducting properties of MgB2 thin films},
author = {R K Singh and Y Shen and R Gandikota and D Wright and C Carvalho and J M Rowell and N Newman},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.4001},
year = {2009}
}