沿 c 轴方向 MgB2 薄膜的各向异性——由脉冲激光沉积制备
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
MgB2 的电子各向异性仍是一个尚未完全阐明的议题；高品质的 c 向薄膜是研究该性质的理想体系。本文报告了我们对 MgB2 超导薄膜（沉积于 MgO 和蓝宝石基片上）的研究结果。这些薄膜在真空中、室温下通过激光剥离法制备，分别采用纯硼和配比 MgB2 目标。为获得并结晶超导相，需要对目标进行镁蒸气中的外处理退火。薄膜通过同步辐射衍射测量，其表明薄膜具有较强的 c 向取向，c 轴垂直于薄膜表面，且基片对晶体参数有影响。电阻率测量在磁场垂直于和平行于薄膜表面时，显示出各向异性的临界场行为。Hc2 比值 h 在 1.2-1.8 范围内；本数值将在文献数据比较中予以讨论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109536,
title = {Anisotropy in c-oriented MgB2 thin films grown by Pulsed Laser Deposition},
author = {C. Ferdeghini and V. Ferrando and G. Grassano and W. Ramadan and E. Bellingeri and V. Braccini and D. Marre and M. Putti and P. Manfrinetti and A. Palenzona and F. Borgatti and R. Felici and C. Aruta},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109536},
year = {2009}
}
备注
presented at ISS 2001,Kobe,Japan. submitted to Physica C