GaMnAs 铁磁薄膜中磁畴钉扎场的分布
材料科学
2009-11-13 v1 其他凝聚态物理
摘要
利用 GaMnAs 铁磁薄膜中平面霍尔效应的角度依赖性，我们确定了该材料中磁畴钉扎场的分布。有趣的是，生长态薄膜与退火态薄膜的钉扎场分布存在显著差异，前者表现出比后者明显更窄的分布。这种显著差异可归因于两类薄膜中磁各向异性非均匀程度的不同。这一发现有助于更好地理解 GaMnAs 中的磁畴景观，而该问题一直是激烈争论的主题。
引用
@article{arxiv.0803.0714,
title = {Distribution of magnetic domain pinning fields in GaMnAs ferromagnetic films},
author = {Jungtaek Kim and D. Y. Shin and Sanghoon Lee and X. Liu and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.0714},
year = {2009}
}