垂直各向异性GaMnAs薄膜中场驱动畴壁动力学
材料科学
2008-12-16 v1
摘要
我们结合磁光成像和磁场脉冲技术，研究了具有垂直易轴的铁磁(Ga,Mn)As层中的畴壁动力学。与超薄金属层相反，我们发现其退钉扎场小于沃克场，从而可以观察到稳态和进动流态。我们自洽地确定了畴壁宽度和阻尼参数。该阻尼比从铁磁共振中推导出的阻尼大30倍，并证明其本质上源于磁化强度模量的非守恒。此外，还揭示了一种未预测到的阻尼共振以及与水平布洛赫线存在相关的耗散机制。
引用
@article{arxiv.0808.0119,
title = {Field-Driven Domain-Wall Dynamics in GaMnAs Films with Perpendicular Anisotropy},
author = {Alexandre Dourlat and Vincent Jeudy and Aristide Lemaître and Catherine Gourdon},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.0119},
year = {2008}
}