利用聚焦离子束光刻钉扎 (Ga,Mn)As 中的畴壁
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们利用聚焦的 Ga+ 离子束在 (Ga,Mn)As 铁磁外延层中定义磁化钉扎位点。非磁性缺陷局部增加了磁晶各向异性能，从而使畴壁被钉扎在给定位置。我们展示了在这些钉扎位点操控畴壁的技术，并通过巨平面霍尔效应（GPHE）进行了探测。通过改变磁场相对于晶轴的角度，确定了局部有效各向异性能的上限。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404068,
title = {Pinning a Domain Wall in (Ga,Mn)As with Focused Ion Beam Lithography},
author = {A. W. Holleitner and H. Knotz and R. C. Myers and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404068},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 3 figures