铁磁(Ga,Mn)As中的畴壁电阻
材料科学
2010-01-13 v1
摘要
利用一系列设计用于在具有垂直磁各向异性的(Ga,Mn)As中钉扎畴壁的微结构，确定了畴壁电阻的外禀和内禀贡献。前者被定量解释为畴壁处霍尔电场极性变化的结果。后者比各向异性磁电阻引起的项大一个数量级，并且与无序导致的载流子自旋在空间变化的磁化强度下的失迹效应一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601464,
title = {Domain-wall resistance in ferromagnetic (Ga,Mn)As},
author = {D. Chiba and M. Yamanouchi and F. Matsukura and T. Dietl and H. Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601464},
year = {2010}
}