能带结构效应对稀磁半导体中畴壁电阻的影响
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
理论上研究了(Ga,Mn)As中的本征畴壁电阻（DWR），并与实验结果进行了比较。采用了最近发展的稀磁半导体中自旋输运模型[Van Dorpe et al., Phys. Rev. B 72, 205322 (2005)]。该模型将无无序的Landauer-Büttiker形式与宿主能带结构的紧束缚描述相结合。所得结果显示了球形4x4 kp模型[Nguyen, Shchelushkin, and Brataas, cond-mat/0601436]在绝热极限下如何高估DWR，并揭示了DWR对磁化轮廓和畴壁晶体学取向的依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605230,
title = {Influence of band structure effects on domain-wall resistance in diluted ferromagnetic semiconductors},
author = {R. Oszwałdowski and J. A. Majewski and T. Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605230},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to Phys. Rev. B - Rapid Comm