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准经典方法下畴壁的电阻

材料科学 2009-11-07 v2 介观与纳米尺度物理

摘要

从一个简单的微观模型出发,我们推导了矩阵分布函数的动力学方程。我们采用该方程计算了具有畴壁(DW)的介观 F'/F/F' 结构的电导 GG。在小交换能 JJ 和突变 DW 的极限下,该结构的电导等于 G2d=4σσ/(σ+σ)LG_{2d}=4\sigma_{\uparrow}\sigma_{\downarrow }/(\sigma_{\uparrow}+\sigma_{\downarrow})L。假设自旋向上和自旋向下的电子散射时间彼此接近,我们证明考虑 DW 的有限宽度会导致该电导增加。我们还计算了 F 线中电场的空间分布。在大 JJ 的相反极限下(DW 中磁化的绝热变化),主近似下的电导与单畴结构的电导一致 % G_{1d}=(\sigma_{\uparrow}+\sigma_{\downarrow})/L。考虑 DW 中磁化的旋转会导致对该电导的负修正。我们的结果与早先发表论文中的结果不同。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0208520,
  title  = {Resistance of a domain wall in the quasiclassical approach},
  author = {F. S. Bergeret and A. F. Volkov and K. B. Efetov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208520},
  year   = {2009}
}

备注

11 pages; replaced with revised version