铁磁薄膜中纳米尺度畴壁弯曲的测量
介观与纳米尺度物理
2011-12-08 v1
摘要
我们利用铁磁半导体Ga1-xMnxAs中反常霍尔效应的高空间灵敏度，结合磁光克尔效应，探测了铁磁薄膜中单个磁畴壁的纳米尺度弹性弯曲行为。我们的技术允许对钉扎位点密度进行位置敏感的刻画，我们估计其约为10^14 cm^{-3}。对单一位点脱钉事件及其温度依赖性的分析，给出了钉扎位点力（10 pN量级）以及热去激活能的估计。最后，我们的数据暗示，畴壁弯曲的内在迁移率远高于先前在光学探测的微米尺度测量中观测到的值。
引用
@article{arxiv.1103.5240,
title = {Measurements of Nanoscale Domain Wall Flexing in a Ferromagnetic Thin Film},
author = {A. L. Balk and M. E. Nowakowski and M. J. Wilson and D. W. Rench and P. Schiffer and D. D. Awschalom and N. Samarth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.5240},
year = {2011}
}