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外尔半金属NbAs的薄膜生长

材料科学 2024-05-15 v2

摘要

我们报道了在GaAs (100)和GaAs (111)B衬底上生长的外尔半金属NbAs薄膜的合成与表征。通过选择合适的衬底,我们可以稳定NbAs沿(001)和(100)方向的生长。我们将X射线表征与高角环形暗场扫描透射电子显微镜相结合,以了解NbAs薄膜的宏观和微观结构。我们表明这些薄膜具有由数十纳米大小的畴构成的织构,并且在宏观尺度上主要对齐到单一晶向。最后,我们描述了电学输运测量,揭示了沿两种晶向生长的薄膜具有相似的行为,即载流子密度约为10211022\sim 10^{21} - 10^{22}

关键词

引用

@article{arxiv.2304.13959,
  title  = {Thin film growth of the Weyl semimetal NbAs},
  author = {Wilson Yanez and Yu-Sheng Huang and Supriya Ghosh and Saurav Islam and Emma Steinebronn and Anthony Richardella and K. Andre Mkhoyan and Nitin Samarth},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2304.13959},
  year   = {2024}
}