TaAs薄膜：开发外尔半金属器件平台
材料科学
2023-03-10 v1
摘要
MX单砷化物化合物（M=Nb,Ta，X = As,P）是典型的三种维外尔半金属（WSMs），其块体单晶形式已显示出因拓扑保护的能带结构和高迁移率而在多种新型器件中具有潜力。然而，对于薄膜合成知之甚少，而这是实现器件应用所必需的。我们通过分子束外延在GaAs(001)上合成TaAs(001)外延层，并提供说明单相、类单晶生长条件的实验相图。我们利用角分辨光电子能谱、开尔文探针显微镜与透射电子显微镜研究纳米缺陷与电子结构之间的关系。我们的结果为开发用于器件应用的三维WSMs提供了路线图与平台。
引用
@article{arxiv.2303.05469,
title = {Thin film TaAs: developing a platform for Weyl semimetal devices},
author = {Jocienne N. Nelson and Anthony D. Rice and Rafal Kurleto and Amanda Shackelford and Zachary Sierzega and Chun-Sheng Jiang and Andrew G. Norman and Megan E. Holtz and John S. Mangum and Ian A. Leahy and Karen N. Heinselman and Herve Ness and Mark Van Schilfgaarde and Daniel S. Dessau and Kirstin Alberi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.05469},
year = {2023}
}
备注
12 pages, 5 figures