超稠密 2 维电子气中的弱局化效应——基于 δ 掺杂硅的研究
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
可通过将 PH₃ 前体分子吸附于原子洁净的 Si 表面后进行 epitaxial 硅生长来实现超稠密的二维电子体系。通过控制 PH₃ 的覆盖率，该体系的载流子密度可轻松达到约 10¹⁴ cm⁻²，显著高于 GaAs/AlGaAs 结构中通常的数值大约高出两到三个数量级。我们运用标准的磁导测量手段，对该新型体系进行首次系统表征。主要发现包括零场电导率呈对数温度依赖以及对数负磁阻。我们依据二维中尺度化理论来分析这些结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305482,
title = {Weak Localization in an Ultradense 2D Electron Gas in $\delta$-doped Silicon},
author = {M. A. Zudov and C. L. Yang and R. R. Du and T. -C. Shen and J. -Y. Ji and J. S. Kline and J. R. Tucker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305482},
year = {2007}
}