形成二维弱局域化：在具有导电性的Langmuir-Blodgett薄膜中

Yasuo Ishizaki; Mitsuru Izumi; Hitoshi Ohnuki; Krystyna Kalita-Lipinska; Tatsuro Imakubo; Keiji Kobayashi

doi:10.1103/PhysRevB.63.134201

形成二维弱局域化：在具有导电性的Langmuir-Blodgett薄膜中

介观与纳米尺度物理 2009-10-31 v1 材料科学

作者: Yasuo Ishizaki , Mitsuru Izumi , Hitoshi Ohnuki , Krystyna Kalita-Lipinska , Tatsuro Imakubo , Keiji Kobayashi

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摘要

我们报道了在由电活性供体分子二硫代乙烯二聚基四硫啶(bedo-ttf)和十八烷酸CH $_3$ (CH $_2$ ) $_{16}$ COOH形成的有机高度导电Langmuir-Blodgett(LB)薄膜中，至7 T的磁导电性质。我们展示了在低温下直流电导率的对数减小以及横向负磁阻。这些现象基于具有BETO-TTF分子尺寸厚度的均匀导电层，解释为二维(2D)电子体系中的弱局域化。给出的介导长度尺度，首次为导电LB薄膜中的二维相干电荷传输提供了证据。

关键词

Langmuir-Blodgett 薄膜弱局域化磁导电性二维电子体系相干性

引用

@article{arxiv.cond-mat/0010464,
  title  = {Formation of two-dimensional weak localization in conducting Langmuir-Blodgett films},
  author = {Yasuo Ishizaki and Mitsuru Izumi and Hitoshi Ohnuki and Krystyna Kalita-Lipinska and Tatsuro Imakubo and Keiji Kobayashi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0010464},
  year   = {2009}
}

备注

5 pages, 1 Table and 5 figures

形成二维弱局域化：在具有导电性的Langmuir-Blodgett薄膜中

摘要

关键词

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