外延石墨烯中的弱反局域化：手性电子的证据
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2 材料科学
摘要
在碳化硅上生长的超薄石墨中的输运由界面处的电子掺杂外延层主导。二维样品中的弱反局域化表现为在磁场10 mT 5 T范围内纵向电阻出现宽泛的尖峰状凹陷。同时观察到在B=0处极其尖锐的弱局域化电阻峰。这些特征与石墨烯弱(反)局域化理论定量吻合，表明样品具有手性电子特性。来自衬底中俘获电荷的散射贡献以及顶部石墨层引起的三角翘曲被初步识别。Shubnikov-de Haas振荡异常小，并表现出异常的Berry相位。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611339,
title = {Weak antilocalization in epitaxial graphene: evidence for chiral electrons},
author = {Xiaosong Wu and Xuebin Li and Zhimin Song and Claire Berger and Walt A. de Heer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611339},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 4 figures. Minor changes