外延生长和 CVD 石墨烯中的弱局域化散射长度

利用在 SiC 上外延生长和在薄金属膜上 CVD 生长制备的器件，我们在$1 \times 10^{11}$\,cm$^{-2}$到$1.43 \times 10^{13}$\,cm$^{-2}$的载流子密度范围内研究了石墨烯中的弱局域化。发现依赖于磁场的弱局域化与理论拟合良好，随后利用该理论分析了散射长度$L_\varphi$、$L_i$和$L_*$对载流子密度的依赖性。我们发现$L_\varphi$没有显著的载流子依赖性，$L_i$随载流子密度增加而微弱减小（刚好超出较大的标准误差），而$L_*$呈现$n^{-\frac{1}{4}}$的依赖性。我们证明，在较小器件中需要低至 0.01\,nA 的电流，以避免在电导率量子修正测量中出现热电子伪影。