石墨中电载流子浓度的起源

我们研究了约 $60$ nm 厚的单晶石墨样品的电阻率对极低通量质子辐照产生的缺陷浓度的依赖性。结果表明，在室温下，当缺陷浓度低至约 $0.1$ ppm 时，电阻率下降几个百分点，这是由于载流子密度增加所致，与理论估计一致。总体结果表明，石墨中测得的载流子密度并非本征的，而是与缺陷和杂质相关。