Si 逆导体层在金属-绝缘体相变处不存在铁磁不稳定性

我们在覆盖范围广的载流子密度 $n > 0.77\times10^{11}\text{cm}^{-2}$ 的高迁移率 Si MOS 结构中测量了 Shubnikov-de Haas 振荡。该密度范围包括两样 studied 样品的金属-绝缘体相变临界密度 $n_c$。振荡的周期性清晰地表明电子态在降至 $n_c$ 处仍保持四向简并。$\\chi^*$ 和 $m^*$ 在临界密度处均为有限值，未显示出发散迹象。为检验 $\\chi^*(n)$ 和 $m^*(n)$ 在更低密度处是否出现发散，我们以临界形式 $\\chi^*, m^* ~ (n/n_0 -1)^{-\\alpha}$ 对数据进行分析。我们的数据表明 $\\chi^*$ 和 $m^*$ 可能在 $n_0 < 0.5\times10^{11}\text{cm}^{-2}$（$r_s > 12$）处发散，而该密度显著低于 $n_c$。