在有限电子密度下，$m^*g^*$ 是否会发生发散？——基于硅 Inversion 层的研究

M. P. Sarachik; S. A. Vitkalov

在有限电子密度下，$m^g^$ 是否会发生发散？——基于硅 Inversion 层的研究

强关联电子 2007-05-23 v1

作者: M. P. Sarachik , S. A. Vitkalov

摘要

对于硅 MOSFET 中的二维电子体系，已显示出在有限密度 $n_0$ 处具有临界行为的缩放磁导率。对这些磁传输实验的分析得到， $g^*m^*$ 乘积在该密度处发生发散（其中 $g^*$ 为互动增强的 Landé $g$ 因子， $m^*$ 为有效质量）。此论断曾因基于 Shubnikov-de Haas 测量直接确定 $g^*m^*$ 值而受到质疑。我们简要回顾这些实验及可能的差异来源。

关键词

磁导率 Landé $g$ 因子有效质量发散硅 Inversion 层

引用

@article{arxiv.cond-mat/0209113,
  title  = {Does $m^*g^*$ diverge at a finite electron density in silicon inversion layers?},
  author = {M. P. Sarachik and S. A. Vitkalov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209113},
  year   = {2007}
}

备注

5 pages, 5 figures; conference proceedings: "Quantum Transport and Quantum Coherence" -- Localisation 2002 Sophia University, Tokyo, August 16-19, 2002, to be published in a supplement of the Journal of Physical Society of Japan

在有限电子密度下，$m^*g^*$ 是否会发生发散？——基于硅 Inversion 层的研究

摘要

关键词

引用

备注

相关论文

在有限电子密度下，$m^g^$ 是否会发生发散？——基于硅 Inversion 层的研究