Si-MOSFET平面磁导率：理论与实验的定量比较
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
在二维硅阱层中电子强相互作用体系的密度超过 cm时，得出与Zala、Narozhny和Aleiner理论在平行于电子平面磁场下的导电率响应高度吻合。然而，由磁导率拟合得到的费米液参数和谷能级分裂虽然提供了包括符号在内的定性行为，但未能在无磁场下的导电率温度依赖性得到定量一致。我们的结果表明，当前理论形式中缺失了额外的散射过程。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204566,
title = {In-plane Magnetoconductivity of Si-MOSFET's: A Quantitative Comparison between Theory and Experiment},
author = {S. A. Vitkalov and K. James and B. N. Narozhny and M. P. Sarachik and T. M. Klapwijk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204566},
year = {2009}
}