低电子密度下硅MOSFET有效电子质量之研究
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们采用参考文献 \cite{gutz,brink} 中用于完美晶体中窄 s 带情形的试探波函数方法，适用于稀疏二维电子体系中有效质量和 Lande 因子的计算。我们发现，有效质量在一定临界浓度处趋于发散，而 g 因子保持有限。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0211482,
title = {On Effective Electron Mass of Silicon MOSFET at Low Electron Density},
author = {V. T. Dolgopolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211482},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 2 figures. Published in JETP Letters