密度波不稳定性处有效质量的发散
强关联电子
2008-01-14 v1
摘要
我们研究了在密度波量子相变附近对 Fermi-液体参数的重整化，这种相变应在低密度的 MOSFET 系统中发生。首先，采用扰动 RPA 方法处理涨落，我们计算了电子自能，发现有效质量在密度波相变点处发生发散。其次，我们超越了扰动理论，运用精确的 Pitaevskii 关系式。通过这种精确分析，我们仍发现有效质量的发散，这一发散在涨落区域的更高密度处发生，与扰动理论不同。这一结果标志着在相变点附近常规 Fermi-液体描述的崩溃。有效质量的发散导致电子压缩性出现奇异行为。我们建议，实验中观察到的有效质量增强是进入一种玻璃状密度波态的二阶热力学相变的前兆。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308203,
title = {Divergence of the effective mass near a density wave instability in a MOSFET system},
author = {Victor Galitski and V. A. Khodel},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308203},
year = {2008}
}
备注
8 pages, no figures