硅器件中电子气的高场迁移率与扩散系数
统计力学
2007-05-23 v1
摘要
本文考虑描述半导体中载流子传输的玻尔兹曼方程。采用修正的 Chapman-Enskog 方法，以求解弱非均匀情况下的近似解。这些解允许计算电场函数下的迁移率和扩散系数。由上述方法导出的积分-微分方程通过球面谐和函数和有限差分算子的数值求解。采用金 Kane 模型描述电子能带结构；当采用抛物能带近似时，即为特例。硅器件中迁移率和扩散系数的 numerical 值与实验数据进行了比较。还给出了爱因斯坦关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0003457,
title = {High Field Mobility and Diffusivity of Electron Gas in Silicon Devices},
author = {S. F. Liotta and A. Majorana},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0003457},
year = {2007}
}
备注
15 pages, Latex, 5 figures (postscript) included in the text