亚微米半导体结构传输建模：对泊松-玻尔兹曼方程组的直接求解
介观与纳米尺度物理
2009-09-29 v1 材料科学
摘要
我们报告了一种基于稳态玻尔兹曼输运方程与泊松方程耦合自洽求解的计算方法，用于研究深亚微米半导体结构中的非均匀输运。采用有限差分与松弛方法对非线性耦合的泊松-玻尔兹曼系统进行数值求解。我们通过计算一种掺杂不均匀的亚微米GaAs结构，演示了该方法。该结构中较大的非均匀内置场产生了电子速度分布能谱高能尾部的显著细节，这在一般情况下远离漂移-麦克斯韦分布图。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411499,
title = {Modeling of transport through submicron semiconductor structures: A direct solution to the Poisson-Boltzmann equations},
author = {D. Csontos and S. E. Ulloa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411499},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures, Contribution to the International Workshop on Computational Electronics (IWCE-10)