非均匀半导体结构中的准球形、非平衡电子分布
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们报告了对深亚微米非均匀半导体结构中准球形传输的研究，重点分析了在完全非平衡电子分布中发现的特征。我们对高掺杂 n(+)-n(-)-n(+) GaAs 结构进行了自洽的数值计算，使用考虑能量依赖散射的泊松-玻尔兹曼方程组。我们表明，电子分布在一般情况下显示出显著的、随温度变化的展宽，以及在分布高速尾部的显著结构。上述特征具有强烈的空间依赖性，这与散射的能量依赖性以及这些系统中较大的非均匀电场变化有关。我们指出，在这种准球形 regime 中，高速尾部结构源于纯粹的球形传输，而强烈的展宽则源于通道内的电子散射，以及在源(漏)界面处的散射。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503504,
title = {Quasi-ballistic, nonequilibrium electron distribution in inhomogeneous semiconductor structures},
author = {D. Csontos and S. E. Ulloa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503504},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures