在多孔硅中的几何限制迁移率观察

我们报告了在由高度多孔晶体硅制成的二极管结构中的光载流子时间飞行测量。相应的电子和空穴漂移迁移率与均匀晶体硅的迁移率非常小。它们显示出两个由多孔几何结构直接限制的半经典传输特征：迁移率具有时滞性（即随时间依赖），且温度依赖性非常小。在纯粹的几何限制下发生的传输在纳米尺度电子态模型（如量子渗透或纳米晶聚集）的语境下显得意外。在此类模型中，约束导致的能级位移和局域化是支配性效应。