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半导体中位错的迁移率

材料科学 2008-02-03 v1

作者: K. Stokbro , L. B. Hansen , B. I. Lundqvist

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摘要

利用有效介质紧束缚理论，对硅中90 $^0$ 部分滑移位错的动力学进行了原子尺度计算。将重构部分位错的扭结形成能和迁移能与该位错迁移率的实验结果进行了比较。结果证实了部分位错在解离态下通过形成稳定扭结而运动的理论。讨论了半导体系统中滑移激活能与带隙之间的关联。

关键词

位错迁移率部分滑移位错扭结形成紧束缚理论硅激活能

引用

@article{arxiv.cond-mat/9611191,
  title  = {Mobility of dislocations in semiconductors},
  author = {K. Stokbro and L. B. Hansen and B. I. Lundqvist},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9611191},
  year   = {2008}
}

备注

4 pages, 2 figures, LaTeX, with sprocl.sty macro package. To appear in the Proceedings of ICPS Berlin July 1996