硅中 90 度偏位错中的扭折结构、势垒与弛豫机制
mtrl-th
2009-10-30 v1 材料科学
摘要
采用线性标度密度矩阵技术研究了硅中 90 度偏位错中的扭折缺陷。非对称核重构起着关键作用，产生至少四种不同的扭折种类以及孤子缺陷。计算了这些实体的能量与迁移势垒并与实验比较。由于某些低能扭折，预测了核重构的一种特殊交替现象。我们发现孤子即使在极低温度下也异常可动，并提议它们介导扭折的弛豫动力学。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9604004,
title = {Structure, barriers and relaxation mechanisms of kinks in the 90-degree partial dislocation in silicon},
author = {R. W. Nunes and J. Bennetto and David Vanderbilt},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9604004},
year = {2009}
}
备注
4 pages in a two column gzipped postscript file (128 K), containing 3 figures and one table. Submitted to Phys. Rev. Lett