半导体中 90 度部分位错的核心重构模型
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
我们比较了在文献中提出的用于描述同质半导体（硅、金刚石和锗）中 90 度部分位错原子结构的模型。特别是，我们检讨了传统的单周期和我们最近提出的双周期核心结构。讨论了基于 ab initio 和紧束缚方法的核心能量结果，并结合这些系统中位错的可用实验信息对几何结构进行比较。结果发现，双周期几何在这三种材料中均为基态结构。我们也讨论了最近关于这些结果的边界条件问题。两种几何结构中点激发（kink、soliton 和 kink-soliton 复合物）的结构也被概述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008135,
title = {Models of core reconstruction for the 90-degree partial dislocation in semiconductors},
author = {R. W. Nunes and David Vanderbilt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008135},
year = {2009}
}
备注
9 pages, with 3 postscript figures embedded. Uses REVTEX and epsf macros. Also available at http://www.physics.rutgers.edu/~dhv/preprints/rn_eds/index.html