分子静力学模拟对GaAs中部分位错的适用性
材料科学
2020-05-20 v1
摘要
分析了分子静力学(MS)模拟用于建模GaAs中90°滑移集部分位错核心结构的适用性。在MS模拟中，原子位置通过能量最小化进行迭代弛豫，为此使用了适用于纳米结构的Tersoff势参数化。我们表明，对于Ga终止的部分位错，位错核心中原子的键长与先前的密度泛函理论研究结果吻合度在5-10%以内，而对于As终止的部分位错则出现了显著差异。
引用
@article{arxiv.1909.09013,
title = {Applicability of molecular statics simulation to partial dislocations in GaAs},
author = {Thomas Riedl and Jörg K. N. Lindner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.09013},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 3 figures, 2 tables